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| SiC／SiO2超晶格的蓝光发射研究 | |
| 引用本文： | 张静,姜岩峰,刘文楷,刘雪芹,王印月.SiC／SiO2超晶格的蓝光发射研究[J].纳米科技,2004,1(6):58-60,64. |
| 作者姓名： | 张静 姜岩峰 刘文楷 刘雪芹 王印月 |
| 作者单位： | [1]北方工业大学信息工程学院，北京100041 [2]兰州大学物理系，甘肃兰州730000 |
| 摘 要： | 利用RF共溅射的方法，制备了SiC／SiO2多层膜，测量了样品的光致发光(PL)谱和光激发(PLE)谱，并观察到室温下的蓝光发射现象。改变势阱层的厚度，观察430nm的蓝光峰的蓝移现象。我们又进行了光致发光峰(PL)在外加偏压前后情况的测试。样品在加上10伏(电流为0．5mA)偏压后，发光峰有明显的蓝移和加强现象，通过测量PLE谱，认为样品在加偏压后引起自由激子的辐射复合使发光峰发生蓝移。 |
| 关 键 词： | SiC／SiO2 超晶格 蓝光发射 光致发光峰 |
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