| 硼膜多步骤注N的镀层结构研究 |
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| 引用本文： | 唐云,张平,谭俊,蔡志海.硼膜多步骤注N的镀层结构研究[J].中国表面工程,2002,15(4):25-27. |
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| 作者姓名： | 唐云 张平 谭俊 蔡志海 |
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| 作者单位： | 装甲兵工程学院,材料科学与工程系,北京,100072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59971065) |
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| 摘 要： | 用离子束溅射硼靶，在W6o5Cr4V2钢上宙积一层硼膜，再用反冲注入法注氮以形成氮化硼（BN），注入时采用逐次递减能量（即50kV,30keV,10keV0的多步骤注入。用XPS分析膜的成分深度分布及元素的化学价态；用傅立叶红外（FTIR）反射谱分析膜的结构，结果表明：膜基界面产生混合，与用单一能量注入相比，多步骤注入时，膜层的N／B分布比较均匀；硼在膜中以BN形式存在，膜深度较大处为a-BN或h-BN，并且随着深度的降低，膜有向c-BN转化的趋势。
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| 关 键 词： | 硼膜 镀层 离子注入 氮化硼 结构 |
| 文章编号： | 1007-9289(2002)04-0025-03 |
| 修稿时间： | 2002年8月15日 |
Study on Microstructureof Polyenergetic Nitrogen Ion Implanted Boron Film |
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| TANG Yun,ZHANG Ping,TAN Jun,CAI Zhi-hai.Study on Microstructureof Polyenergetic Nitrogen Ion Implanted Boron Film[J].China Surface Engineering,2002,15(4):25-27. |
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| Authors: | TANG Yun ZHANG Ping TAN Jun CAI Zhi-hai |
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| Abstract: | Boron films were deposited on W6Mo5Cr4V2 high speed steel using ion beam sputtering from boron target and implanted with polyenergetic(50 keV, 30 keV, 10 keV) nitrogen ions. The implanted films were characterized by X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Fourier Infrared (FTIR) spectroscopy. The concentration profiles of XPS analysis showed an interfacial mixing between film and substrate. Compared with monoenergetic ion implantation, polyenergetic ion implanted films displayed an even N/B distribution. Boron existed in the form of boron nitride as a-BN or h-BN, with the depth decreasing, it showed a tendency to transform to c-BN. |
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| Keywords: | implantation boron nitride microstructure |
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