| 掺钨氧化钒薄膜的制备及研究 |
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| 引用本文： | 龙航宇,余志明,陈爽,魏秋平,刘学璋.掺钨氧化钒薄膜的制备及研究[J].中国表面工程,2009,22(5):31-35. |
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| 作者姓名： | 龙航宇 余志明 陈爽 魏秋平 刘学璋 |
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| 作者单位： | 中南大学,材料科学与工程学院,长沙,410083;有色金属材料科学与工程教育部重点实验室,长沙,410083 |
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| 摘 要： | 采用复合靶磁控溅射法在SiO2玻璃、普通玻璃和Si(100)上沉积氧化钒薄膜,然后对其进行真空退火.分别利用X射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计和红外光谱仪分析样品的物相、表面形貌和光透过率.结果表明:500 ℃下退火1 h,SiO2玻璃衬底上沉积40 min的薄膜主要物相为VO2和V2O5,退火时间延长到2 h,薄膜主要物相为VO2,薄膜晶粒尺寸均匀,晶粒大小约为100 nm;Si (100)上沉积40 min的薄膜在500 ℃下退火2 h后,物相为低于+4价的钒氧化物;掺钨后薄膜可见光和红外光的透过率都有提高.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 掺钨 |
Preparation and Ivestigation of W-doped Vanadium Oxide Thin Film |
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| LONG Hang-yu,YU Zhi-ming,CHEN Shuang,WEI Qiu-ping,LIU Xue-zhang.Preparation and Ivestigation of W-doped Vanadium Oxide Thin Film[J].China Surface Engineering,2009,22(5):31-35. |
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| Authors: | LONG Hang-yu YU Zhi-ming CHEN Shuang WEI Qiu-ping LIU Xue-zhang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VO2 |
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