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Ru掺杂Sn基氧化物电极的第一性原理计算
引用本文:刘雪华,邓芬勇,翁卫祥,王欣,林玮,唐电.Ru掺杂Sn基氧化物电极的第一性原理计算[J].中国有色金属学报,2014(5).
作者姓名:刘雪华  邓芬勇  翁卫祥  王欣  林玮  唐电
作者单位:福州大学材料研究所;福州大学材料科学与工程学院;福建工程学院材料科学与工程学院;
基金项目:国家自然科学基金资助项目(11374053,11104031,50971043,51171046)
摘    要:采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似,研究Ru掺杂SnO_2形成的Sn_(0.875)Ru_(0.125).O_2复合氧化物电极的晶体结构和电子结构,比较掺杂前后体系的能带结构、电子态密度和载流子浓度。计算表明:Ru掺杂后SnO_2的晶胞体积缩小,复合氧化物电极的能带结构、电子态密度和载流子浓度均发生显著变化,导致材料的导电类型呈现近金属特性,揭示Ru掺杂后SnO_2导电性能显著增强的原因是导带底附近形成的杂质能级的贡献。

关 键 词:Sn基氧化物  Ru掺杂  第一性原理计算  电子结构  导电性能
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