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| 短期贮存对金属铜腐蚀电化学行为的影响 | |
| 引用本文： | 冯林,王燕华,钟莲,王佳,李爱娇,金晓晓.短期贮存对金属铜腐蚀电化学行为的影响[J].中国腐蚀与防护学报,2016(4):375-380. |
| 作者姓名： | 冯林 王燕华 钟莲 王佳 李爱娇 金晓晓 |
| 作者单位： | 中国海洋大学化学化工学院海洋化学理论与工程技术教育部重点实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(51131005和40906039);山东省优秀中青年科学家奖励基金项目(BS2012HZ021)资助 |
| 摘 要： | 采用动电位极化(PDS)、电化学阻抗谱(EIS)、电容测量以及阵列电极等技术研究了Cu的短期贮存对其腐蚀电化学行为的影响。结果表明,金属Cu表面膜呈现p型半导体结构,经过短期贮存后载流子浓度减小,腐蚀电位正移,腐蚀电流密度下降,表面膜对腐蚀阴极过程、阳极过程均有抑制作用。Cu在NaCl液滴下呈现典型的局部腐蚀特征;经过贮存后,电极表面润湿性减弱,腐蚀活性降低,总体平均腐蚀强度减弱,但是局部腐蚀强度反而增强。 |
| 关 键 词： | 阵列电极 短期贮存 Cu Mott-Schottky曲线 液滴 腐蚀 |
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