氟和氯在Mg(0001)表面吸附的密度泛函理论研究(英文) |
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引用本文: | 段永华.氟和氯在Mg(0001)表面吸附的密度泛函理论研究(英文)[J].中国有色金属学会会刊,2014(6). |
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作者姓名: | 段永华 |
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作者单位: | 昆明理工大学材料科学与工程学院;昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室; |
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基金项目: | Project (51201079) supported by the National Natural Science Foundation of China;Project (2012Z099) supported by the Scientific Research Fund of Department of Education of Yunnan Province,China;Project (KKSY201251033) supported by the Scientific Research Foundation for Introduced Talents of KMUST,China |
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摘 要: | 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理研究低覆盖度F和C1原子在Mg(0001)表面的吸附特性,分析F和C1原子吸附在(2×2)Mg(0001)表面不同吸附位置的稳定性,讨论F和C1原子在Mg(0001)表面的吸附。计算结果表明,在低覆盖度下,洞位是最稳定吸附位;电荷布居和态密度表明,电子从Mg原子转移至吸附原子F和C1,从而形成吸附键,使Mg原子和吸附原子之间的相互作用增强,C1和Mg原子之间的相互作用弱于F和Mg原子之间的相互作用。
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关 键 词: | 第一性原理 卤族元素 F Cl Mg()表面 吸附能 |
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