| CMP抛光半导体晶片中抛光液的研究 |
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| 引用本文： | 胡伟,魏昕,谢小柱,向北平. CMP抛光半导体晶片中抛光液的研究[J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2006, 0(6): 78-80 |
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| 作者姓名： | 胡伟 魏昕 谢小柱 向北平 |
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| 作者单位： | 广东工业大学机电工程学院,广州,510090;西南科技大学制造学院,四川,绵阳,621010 |
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| 基金项目： | 广东省科技攻关计划;广东省自然科学基金;教育部留学回国人员科研启动基金;广东省教育厅"人才引进工程"基金;广东工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 本文分析了化学机械抛光(CMP)半导体晶片过程中抛光液的重要作用,总结了抛光液的组成及其化学性能(氧化剂、磨料及pH值等)和物理性能(流速、粘性及温度)对抛光效果的影响规律,研究发现:酸性抛光液常用于抛光金属材料,pH最优值为4,碱性抛光液常用于抛光非金属材料,pH最优值为10～11.5;氧化剂能有效提高金属材料的抛光效率和表面平整度;磨料的种类、浓度及尺寸会影响抛光效果;分散剂有助于保持抛光液的稳定性;抛光初始阶段宜采用较低流速,然后逐渐提高;抛光液的粘性会影响晶片与抛光垫之间的接触模式、抛光液的均布、流动及加工表面的化学反应;抛光液温度的升高有助于提高抛光效率.最后本文指出了抛光液循环使用的重要意义及常用方法.
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 抛光液 抛光效率 表面平整度 |
| 文章编号： | 1006-852X(2006)05-0078-03 |
| 修稿时间： | 2006-06-27 |
Study on the performances of polishing slurry in chemical mechanical polishing |
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| Hu Wei,Wei Xin,Xie xiaozhu,Xiang Beiping. Study on the performances of polishing slurry in chemical mechanical polishing[J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2006, 0(6): 78-80 |
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| Authors: | Hu Wei Wei Xin Xie xiaozhu Xiang Beiping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chemical mechanical polishing slurry polishing efficiency planarity |
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