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| 铜化学机械抛光材料去除机理研究 | |
| 引用本文： | 苏建修,高虹,陈锡渠,杜家熙,宁欣,康仁科.铜化学机械抛光材料去除机理研究[J].金刚石与磨料磨具工程,2010,30(1):5-9. |
| 作者姓名： | 苏建修 高虹 陈锡渠 杜家熙 宁欣 康仁科 |
| 作者单位： | 1. 河南科技学院,新乡,453003 2. 贵州大学,贵阳,550025 3. 大连理工大学,精密与特种加工教育部重点实验室,大连,116024 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重大项目资助(No:50390061);;河南科技学院高学历人才启动基金资助;;河南省教育厅自然科学研究计划项目(2009A460004) |
| 摘 要： | 本文根据铜CMP过程中表面材料的磨损行为,建立了铜CMP时的材料去除率构成成分模型,并通过材料去除率实验,得出了各机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率及其作用率:当np=nw=200r/min时,有最佳材料去除率,此时单纯的机械作用率为9.2%;单纯的化学作用率为仅为2.1%,抛光垫的机械与化学交互作用率为5.08%;磨粒的机械与化学交互作用率为83.6%。通过对实验结果进行分析,可得如下结论:硅片化学机械抛光中,一定的参数下有一个最优的抛光速度;在最优的速度下,机械与化学之间交互作用达到平衡,这时可获得最高的材料去除率;硅片化学机械抛光过程是一个多变的动态过程,仅仅通过增加机械作用或化学作用不能获得理想的材料去除效果。本文的研究结果可为进一步研究硅片CMP时的材料去除机理提供理论参考依据。 |
| 关 键 词： | 化学机械抛光 硅片 材料去除机理 |
Study on material removal mechanism of Cu-deposited wafer during chemical mechanical polishing |
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| Su Jianxiu,Gao Hong,Chen Xiqu,Du Jiaxi,Ning Xin,Kang Renke.Study on material removal mechanism of Cu-deposited wafer during chemical mechanical polishing[J].Diamond & Abrasives Engineering,2010,30(1):5-9. | |
| Authors: | Su Jianxiu Gao Hong Chen Xiqu Du Jiaxi Ning Xin Kang Renke |
| Affiliation: | 1.Henan Institute of Science and Technology;Xinxiang 453003;China;2.Guizhou University;Guiyang 550025;China;3.Key Laboratory for Precision and Non-traditional Machining Technology of Ministry of Education;Dalian University of Technology;Dalian 116024;China |
| Abstract: | In this paper,the constituent model of material removal in wafer chemical mechanical polishing(CMP) was described qualitatively based on theory of corrosive wear.The value of each constituent was obtained by a series of wafer CMP experiments.When np=nw=200 r/min,there are the best material removal rate(MRR).At this time,the ratio of only mechanical action was 9.2%;the ratio of only chemical action of the slurry was 2.1%,the interaction ratio between the mechanical action of the polishing pad and the chemica... |
| Keywords: | chemical mechanical polishing silicon wafer material removal mechanism |
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