| 制备双面大面积BDD电极的HFCVD设备流场仿真与结构设计 |
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| 引用本文： | 孙达飞,卢文壮,薛海鹏,王浩,张林,左敦稳.制备双面大面积BDD电极的HFCVD设备流场仿真与结构设计[J].金刚石与磨料磨具工程,2013,33(2). |
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| 作者姓名： | 孙达飞 卢文壮 薛海鹏 王浩 张林 左敦稳 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学机电学院,南京,210016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助，教育部博士点基金项目，南京航空航天大学研究生创新基金资助 |
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| 摘 要： | 用热丝化学气相沉积(HFCVD)法制备双面大面积掺硼金刚石(BDD)电极时,沉积系统的气体流场均匀性对薄膜质量均匀性有着重要影响.针对大面积BDD电极制备的设备流场问题,采用仿真分析,研究了相关结构与流场的关系.通过设计均匀分散的进出气口以及在基板四周配置宽度为20 mm的减速板,可以有效消除横向流速差和边缘流速峰值,与结构改进之前相比能显著提高流场均匀性,高低流速差值从0.04 m/s降低到0.005 m/s.研究结果为薄膜的均匀制备提供了必要条件.
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| 关 键 词： | 掺硼金刚石 热丝化学气相沉积设备 气体流场 |
Gas flow field simulation and structure analysis of HFCVD system for uniform deposition of double-sided large-area BDD |
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