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| ICP－AES法分析Au－Ga合金 | |
| 引用本文： | 刘继升,邱红莲.ICP－AES法分析Au－Ga合金[J].贵金属,1995(2). |
| 作者姓名： | 刘继升 邱红莲 |
| 作者单位： | 贵金属研究所 |
| 摘 要： | 研究了用ＩＣＰ─ＡＥＳ法测定高纯Ａｕ─Ｇａ合金中Ｇａ及萃取Ａｕ后测定微量Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｊｒ、Ａｇ等２５个杂质元素的方法。元素间的干扰用等效浓度法校正。杂质元素标准加入回收率为８４～１０３％：相对标准偏差为２．６～１７％，取２．５ｇ样品时测定下限为５×１０￣（－５）～２×１０￣（－４）％。 |
| 关 键 词： | 电感耦合高频等离子体原子发射光谱，镓，合金分析 |
Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry Determination of GoM-Gallium Alloy |
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| Liu Jisheng and Qiu Honglian.Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry Determination of GoM-Gallium Alloy[J].Precious Metals,1995(2). | |
| Authors: | Liu Jisheng and Qiu Honglian |
| Abstract: | |
| Keywords: | Inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry Gallium Alloy analysis |
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