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直流反应磁控溅射制备 a-C:H 薄膜及其表面粗糙度研究
引用本文:张艳茹,杭凌侠,郭峰,宁晓阳. 直流反应磁控溅射制备 a-C:H 薄膜及其表面粗糙度研究[J]. 表面技术, 2013, 42(2): 92-94,121
作者姓名:张艳茹  杭凌侠  郭峰  宁晓阳
作者单位:西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室
基金项目:陕西省教育厅科学研究计划项目(12JK0433)
摘    要:为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含—CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定。结果表明,含氢碳源气体的加入提高了类金刚石薄膜的沉积速率,改善了表面平整度。

关 键 词:直流反应磁控溅射  含氢类金刚石薄膜  沉积速率  表面粗糙度
收稿时间:2012-11-15
修稿时间:2012-12-29

Study on Deposition of a-C:H Film by Reactive DC Magnetron Sputtering and Its Surface Roughness
ZHANG Yan-ru,HANG Ling-xi,GUO Feng and NING Xiao-yang. Study on Deposition of a-C:H Film by Reactive DC Magnetron Sputtering and Its Surface Roughness[J]. Surface Technology, 2013, 42(2): 92-94,121
Authors:ZHANG Yan-ru  HANG Ling-xi  GUO Feng  NING Xiao-yang
Affiliation:(Key Laboratory of Thin Film Technology and Optical Test of Shaanxi Province, Xi’an Technological University,Xi’an 710032,China)
Abstract:
Keywords:reactive DC magnetron sputtering   DLC films with various hydrogen contents   deposition rate   surfaceroughness
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