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脉冲占空比对纯铝微弧氧化膜的影响
引用本文:翁海峰,陈秋龙,蔡珣,鲍明东.脉冲占空比对纯铝微弧氧化膜的影响[J].表面技术,2005,34(5):59-62.
作者姓名:翁海峰  陈秋龙  蔡珣  鲍明东
作者单位:上海交通大学,上海,200030
摘    要:为研究交流脉冲电源占空比的变化对纯铝微弧氧化的影响,设计了在恒流条件下(J=75mA·cm-2)进行从2%到18%不同占空比下对纯铝进行微弧氧化实验.研究发现,陶瓷膜的主要成分为稳定态的α-Al2O3和亚稳态的γ-Al2O3,随着占空比的提高,α-Al2O3逐渐成为氧化膜的主要成分,而氧化膜的表面则越来越粗糙.当占空比为10%时,得到最大的氧化膜厚度和最佳的氧化膜截面形貌.

关 键 词:微弧氧化  脉冲  占空比    氧化膜  脉冲占空比  纯铝  微弧氧化膜  影响  Microarc  Oxidation  Cycles  Pulse  截面形貌  最佳  氧化膜厚度  表面  亚稳态  稳定态  成分  陶瓷膜  发现  氧化实验  条件  恒流  设计
文章编号:1001-3660(2005)05-0059-04
收稿时间:2005-08-18
修稿时间:2005-08-18

Effects of Pulse Duty Cycles on Microarc Oxidation Formed on Al
WENG Hai-feng,CHEN Qiu-long,CAI Xun,BAO Ming-dong.Effects of Pulse Duty Cycles on Microarc Oxidation Formed on Al[J].Surface Technology,2005,34(5):59-62.
Authors:WENG Hai-feng  CHEN Qiu-long  CAI Xun  BAO Ming-dong
Abstract:
Keywords:Microarc oxidation  Pulse  Duty cycle  Al  Oxide film
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