| 电弧离子镀沉积Cr-O-N活性扩散阻挡层 |
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| 引用本文： | 王启民,郭明虎,柯培玲,孙超,黄荣芳,闻立时.电弧离子镀沉积Cr-O-N活性扩散阻挡层[J].金属学报,2004,40(12):1264-1268. |
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| 作者姓名： | 王启民 郭明虎 柯培玲 孙超 黄荣芳 闻立时 |
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| 作者单位： | 中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室,沈阳,110016 |
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| 基金项目： | 中国科学院方向性课题资助项目KGCX2-212-02 |
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| 摘 要： | 采用电弧离子镀技术在NiCoCrAlY涂层与高温合金基材DSM11间沉积不同成分的Cr-O—N薄膜作为扩散阻挡层，研究了900℃下氧化1400h后DSM11／Cr—O—N／NiCoCrAlY体系中Cr-O-N层阻挡合金元素互扩散的行为以及阻挡层对涂层氧化动力学曲线的影响．结果表明，Cr-O-N层在高温氧化过程中生成与涂层和基材有良好结合的富Al氧化物层，可以阻挡DSM11基体与NiCoCrAlY涂层间的元素互扩散，起到活性阻挡层的作用；Cr-O-N层中。和N含量影响生成富Al氧化物层的连续性和致密性，从而影响其阻挡元素互扩散的性能．几种成分的Cr-O-N活性扩散阻挡层对NiCoCrAlY涂层900℃下的高温氧化性能都有一定的改善作用，改善程度与阻挡层阻挡合金元素互扩散的程度保持一致．
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| 关 键 词： | Cr-O-N 活性扩散阻挡层 电弧离子镀 |
| 文章编号： | 0412-1961(2004)12-1264-05 |
| 收稿时间： | 2003-10-22 |
| 修稿时间： | 2004-01-08 |
Cr-O-N FILMS DEPOSITED BY ARC ION PLATING AS ACTIVE DIFFUSION BARRIERS |
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| WANG Qimin,GUO Minghu,KE Peiling,SUN Chao,HUANG Rongfang,WEN Lishi.Cr-O-N FILMS DEPOSITED BY ARC ION PLATING AS ACTIVE DIFFUSION BARRIERS[J].Acta Metallurgica Sinica,2004,40(12):1264-1268. |
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| Authors: | WANG Qimin GUO Minghu KE Peiling SUN Chao HUANG Rongfang WEN Lishi |
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| Affiliation: | State Key Laboratory for Corrosion and Protection, Institute of Metal Research, |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cr-O-N reactive diffusion barrier arc ion plating (AIP) |
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