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| FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应 | |
| 引用本文： | 刘德镇,萧淑琴,周少雄,刘国栋,张林,刘宜华.FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应[J].金属学报,2000,36(5):535-538. |
| 作者姓名： | 刘德镇 萧淑琴 周少雄 刘国栋 张林 刘宜华 |
| 作者单位： | 1. 山东工业大学材料科学与工程学院,济南,250061 2. 山东大学物理系,济南,250100 3. 钢铁研究总院非晶中心,北京,100081 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金59981004和高等学校博士学科点专项科研基金9704225资助项目 |
| 摘 要： | 用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ膜，经３５０℃退火２０ｍｉｎ后得到性能优良的巨大磁阻抗材料，磁畴结构观察表明，样品中心为均匀的细条畴靠近边缘，磁畴方向转向横向，这种畴结构有利于磁力线的闭合，是获得显著的巨阻抗效应的重要原因之一，磁阻抗测量表明，样品在１３ＭＨＺ的频率下，分别获得了６３％和７％的纵向和横向磁阻抗比 |
| 关 键 词： | 巨磁阻抗效应 磁畴结构 软磁合金 薄膜 |
| 文章编号： | 0412-1961(2000)05-0535-04 |
| 修稿时间： | 1999年10月29 |
DOMAIN STRUCTURE AND GIANT MAGNETOIMPEDANCE EFFECTS OF FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB FILMS |
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| LIU Dezhen,XIAO Shuqin,ZHOU Shaoxiong,LIU Guodong,ZHANG Lin,LIU Yihua.DOMAIN STRUCTURE AND GIANT MAGNETOIMPEDANCE EFFECTS OF FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB FILMS[J].Acta Metallurgica Sinica,2000,36(5):535-538. | |
| Authors: | LIU Dezhen XIAO Shuqin ZHOU Shaoxiong LIU Guodong ZHANG Lin LIU Yihua |
| Abstract: | |
| Keywords: | FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB film giant magnetoimpedance effect domain structure |
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