Ta中氢化物沉淀过程的内耗研究

测量了冷加工的高纯Ta丝在电解加氢前后的低频内耗。发现在加氢后除出现氢化物沉淀峰外,氢一位错交互作用的内耗峰也降低,附加范性扭形变对沉淀峰有明显的增强作用;在氧原子可动的温度范围内时效,可以完全消除形变对沉淀峰的增强作用。结果表明,氢化物可能择优在位错上沉淀。沉淀峰的本质可能与位错-氢化物交互作用有关。