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Cu-Sn界面上金属间化合物生长的抑制
引用本文:任峰,高苏,张启运.Cu-Sn界面上金属间化合物生长的抑制[J].金属学报,2002,38(7):727-730.
作者姓名:任峰  高苏  张启运
作者单位:北京大学化学系,北京,100871
基金项目:北京市自然科学基金资助项目 2982017
摘    要:用金相和润湿力测定的方法研究了带不同隔离层的Cu线在热浸Sn和电镀Sn制备电子元件引线时仓储可焊性的变化。实验表明,Ni隔离层与Cu芯线的结合能力和保护能力最强,但只适用350℃以下热浸Sn工艺,Co隔离层则可完满地适用于450℃,Fe隔离层由于热浸Sn往往局部破裂,不能使Cu-Sn得到完全隔离,Fe,Co,Ni隔离层在电镀法覆锡制备引线时均能获得良好的效果。

关 键 词:金属间化合物  电子元件引线  隔离层  钎焊
文章编号:0412-1961(2002)07-0727-04
修稿时间:2001年9月24日

THE INHIBITION OF INTERMETAILLICS GROWTH ON THE Cu-Sn BORDER
REN Feng,GAO Su,ZHANG QiyunChemistry.THE INHIBITION OF INTERMETAILLICS GROWTH ON THE Cu-Sn BORDER[J].Acta Metallurgica Sinica,2002,38(7):727-730.
Authors:REN Feng  GAO Su  ZHANG QiyunChemistry
Abstract:
Keywords:intermetallics  lead wire of electronic components  diffusion barriers soldering
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