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二硅化钼发热元件的热弯研究
引用本文:杭瑞强,杨延清,吴中,王含英,陈彦,徐向红.二硅化钼发热元件的热弯研究[J].稀有金属快报,2006,25(2):22-25.
作者姓名:杭瑞强  杨延清  吴中  王含英  陈彦  徐向红
作者单位:1. 西北工业大学,陕西,西安,710072
2. 郑州航空工业管理学院,河南,郑州,450015
3. 沙洲职业工学院,江苏,张家港,215600
摘    要:研究了烧结温度对MoSi2发热元件性能的影响,使用SEM观察了各种烧结温度试样的微观组织、氧化层厚度及高温弯曲试样的表面形貌,测定了各种温度烧结试样的氧化动力学曲线、电阻率及抗弯强度。结果表明,高温烧结的MoSi2可进行热态弯曲成形,表面没有发现裂纹,试样中的气孔已明显球化,氧化层厚度明显小于低温烧结试样的。高温烧结试样的电阻率较低,抗弯强度较高,烧损温度达到1750℃。

关 键 词:二硅化钼  发热元件  烧结  性能  热弯
文章编号:1008-5939(2006)02-022-04
修稿时间:2005年7月31日

Studies on Hot Bending of MoSi2 Heating Element
Hang Ruiqiang,Yang Yanqing,Wu Zhong,Wang Hanying,Chen Yan,Xu Xianghong.Studies on Hot Bending of MoSi2 Heating Element[J].Rare Metals Letters,2006,25(2):22-25.
Authors:Hang Ruiqiang  Yang Yanqing  Wu Zhong  Wang Hanying  Chen Yan  Xu Xianghong
Abstract:
Keywords:MoSi2  heating element  sintering  property  hot bending
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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