| 高K栅介质HfSixOy薄膜的制备工艺与结构分析 |
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| 引用本文： | 沈雅明,刘正堂,冯丽萍,刘 璐,许 冰.高K栅介质HfSixOy薄膜的制备工艺与结构分析[J].稀有金属材料与工程,2009,38(11):2039-2042. |
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| 作者姓名： | 沈雅明 刘正堂 冯丽萍 刘 璐 许 冰 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
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| 基金项目： | 西北工业大学基础研究基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法制备HfSi_xO_y薄膜,系统研究工艺参数对HfSi_xO_y薄膜沉积速率的影响规律.对沉积态和退火HfO_2和HfSi_xO_y薄膜的结构进行了对比分析.结果表明:HfSi_xO_y薄膜的沉积速率随射频功率、Ar气体流量和粘贴Si面积的增大而增大,随溅射气压的增大而减小.衬底未加热时,制备的HfSi_xO_y和HfO_2薄膜均呈非晶态,随着衬底加热温度的上升,HfO_2薄膜呈多晶态,而HfSi_xO_y薄膜呈非晶态.HfSi_xO_y薄膜在800℃退火后仍呈非晶态,而HfO_2薄膜在400℃退火后已明显晶化,这表明HfSi_xO_y薄膜具有较高的热稳定性.
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| 关 键 词： | 高K栅介质 HfSi_xO_y薄膜 射频磁控反应溅射 沉积速率 |
Preparation and Structure of HfSixOy Thin Film for High K Gate Dielectrics |
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| Shen Yaming,Liu Zhengtang,Feng Liping,Liu Lu and Xu Bing.Preparation and Structure of HfSixOy Thin Film for High K Gate Dielectrics[J].Rare Metal Materials and Engineering,2009,38(11):2039-2042. |
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| Authors: | Shen Yaming Liu Zhengtang Feng Liping Liu Lu and Xu Bing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high K gate dielectric HfSi_xO_y thin film RF magnetron reactive sputtering deposition rate |
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