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| 基片温度对铌掺杂ITO透明导电薄膜性能的影响 | |
| 引用本文： | 马春红,马瑞新,李士娜,扈百直,钟景明,朱鸿民.基片温度对铌掺杂ITO透明导电薄膜性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2013,42(5):1043-1047. |
| 作者姓名： | 马春红 马瑞新 李士娜 扈百直 钟景明 朱鸿民 |
| 作者单位： | 1. 北京科技大学,北京100083;西北稀有金属材料研究院,宁夏石嘴山753000 2. 北京科技大学,北京,100083 3. 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心,宁夏石嘴山,753000 4. 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心,宁夏石嘴山753000;西北稀有金属材料研究院,宁夏石嘴山753000 |
| 摘 要： | 采用磁控溅射法以铌(Nb)掺杂氧化铟锡(ITO)为靶材制备了厚度为300nm的ITO:Nb薄膜,研究了不同基底温度下,薄膜的结构、导电性和可见光区的透过率。XRD分析表明所制备的ITO:Nb薄膜均为In2O3相;AFM显示ITO:Nb薄膜的均方根粗糙度随着温度的升高逐渐变大;薄膜的电阻率随着温度的升高逐渐减小,在300℃时得到最小值1.2×10-4·cm。电阻率下降主要是因为霍耳迁移率增大和载流子浓度逐渐增加。ITO:Nb薄膜在可见光内的平均透过率均大于87%,且随着温度的升高,吸收边发生"红移",禁带宽度逐渐增加。 |
| 关 键 词： | 掺铌ITO 透明导电薄膜 基片温度 性能 |
| 收稿时间： | 2012/4/15 0:00:00 |
Effects of Substrate Temperature on the Properties of Nb-Doped ITO Thin Films |
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| Ma Chunhong,Ma Ruixin,Li Shin,Hu Baizhi,Zhong Jingming and Zhu Hongmin.Effects of Substrate Temperature on the Properties of Nb-Doped ITO Thin Films[J].Rare Metal Materials and Engineering,2013,42(5):1043-1047. | |
| Authors: | Ma Chunhong Ma Ruixin Li Shin Hu Baizhi Zhong Jingming and Zhu Hongmin |
| Affiliation: | University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China |
| Abstract: | |
| Keywords: | Nb doped ITO transparent conductive thin films substrate temperature properties |
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