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降温速率对CdZnTe晶体内Te夹杂相的影响
引用本文:张 涛,闵嘉华,梁小燕,滕家琪,时彬彬,杨 升,张继军,王林军. 降温速率对CdZnTe晶体内Te夹杂相的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2014, 43(10): 2541-2544
作者姓名:张 涛  闵嘉华  梁小燕  滕家琪  时彬彬  杨 升  张继军  王林军
作者单位:上海大学;
基金项目:国家自然科学基金(11275122);上海市科委重点项目(11530500200);上海市教育委员会科研创新项目(12ZZ096)
摘    要:采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe(CZT)单晶。生长完成后,选取了10~60 K/h不同速率降温处理。采用红外透射显微镜和多道能谱仪分别测试不同降温速率的晶片内部Te夹杂相分布和能谱响应。结果表明,10~30K/h之间的慢速降温会导致晶体内部出现较大尺寸的Te夹杂(>10μm),40 K/h以上的快速降温所得到的晶体内部主要以小尺寸(<10μm)为主。同时快速降温会导致晶体内部的Te夹杂浓度大量增加,并且降温速率越快,Te夹杂浓度越大。此外,降温速率过慢所得到晶片的能谱分辨率较差,但是降温速率过快也会影响到晶片的性能。40 K/h的降温速率所得到的晶片能谱性能较好,实验结果表明:大尺寸或者高浓度的Te夹杂都不利于能谱响应,保留一定浓度的小尺寸Te夹杂的晶体能谱性能较佳。

关 键 词:Te夹杂相  降温速率  CdZnTe

Effect of Cooling Rate on Te Inclusions in CdZnTe Crystal
Zhang Tao,Min Jiahu,Liang Xiaoyan,Teng Jiaqi,Shi Binbin,Yang Sheng,Zhang Jijun and Wang Linjun. Effect of Cooling Rate on Te Inclusions in CdZnTe Crystal[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2014, 43(10): 2541-2544
Authors:Zhang Tao  Min Jiahu  Liang Xiaoyan  Teng Jiaqi  Shi Binbin  Yang Sheng  Zhang Jijun  Wang Linjun
Affiliation:Shanghai University, Shanghai 200072, China
Abstract:
Keywords:Te inclusions   cooling rate   CdZnTe
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