| Dy3+掺杂γ-AlON基荧光粉的合成及其发光性能 |
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| 引用本文： | 钟飞,刘学建,黄政仁,李会利.Dy3+掺杂γ-AlON基荧光粉的合成及其发光性能[J].稀有金属材料与工程,2013(Z1):26-28. |
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| 作者姓名： | 钟飞 刘学建 黄政仁 李会利 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室;中国科学院研究生院;华东师范大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助(51172263);高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放课题基金(SKL201114SIC) |
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| 摘 要： | 以AlN、Al2O3、Dy2O3为原料,采用高温固相反应法在1900℃、5MPa氮气气氛条件下合成AlON:Dy3+荧光粉,研究了Dy3+掺杂离子浓度对荧光粉的物相组成和发光性能的影响。结果表明:当Dy3+掺杂浓度较低时(x=0.005～0.100)合成纯的AlON相,随着Dy3+掺杂浓度的增大(x=0.125～0.250),出现微量的DyAlO3相。该荧光粉在354nm处有最强激发,其在354nm激发下呈现3个发射峰,分别位于蓝光483nm(19F9/2→6H15/2)、黄光578nm(19F9/2→6H13/2)和红光670nm(19F9/2→6H11/2),其中在578nm处黄光为最强发射。随着掺杂离子Dy3+浓度的增大,其激发峰和发射峰的强度均表现出先增大后减小的变化规律,其中当x=0.050时,发射强度最高。
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| 关 键 词： | Dy3+ AlON 荧光粉 发光性能 |
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