电压对TC4钛合金表面微弧氧化膜层红外发射率的影响 |
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引用本文: | 高广睿,厉英,呼丹,吴宗海,李超众,李争显,奚正平.电压对TC4钛合金表面微弧氧化膜层红外发射率的影响[J].稀有金属材料与工程,2018,35(1). |
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作者姓名: | 高广睿 厉英 呼丹 吴宗海 李超众 李争显 奚正平 |
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作者单位: | 东北大学,辽宁沈阳110819;西北有色金属研究院,陕西西安710016;西安赛福斯材料防护有限责任公司,陕西西安710016;兰州空间技术物理研究所,甘肃兰州730000 |
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摘 要: | 在硅酸盐、磷酸盐及高锰酸钾的混合电解液中研究了不同电压对TC4钛合金微弧氧化膜层性能的影响,通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析了膜层的微观形貌、相组成及化学成分,用傅里叶变换红外光谱仪测试了样品的红外发射率。结果表明,随着电压的升高,膜层的厚度、粗糙度及红外发射率持续增加,膜层中Ti O2与Ti的特征峰逐渐减弱,非晶相成为主要的组成部分。结合XRD与XPS分析结果可推断膜层中主要元素Si、P、Mn均以非晶态存在。当电压为540 V时膜层发射率有较大幅度的增加并达到最大,在8-20μm的波段范围内平均发射率可达0.84。
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关 键 词: | 微弧氧化 TC4钛合金 红外发射率 |
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