| 高密度高导电性ITO靶研制 |
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| 引用本文： | 张维佳,王天民,崔敏,金飞,丁照崇,阎兰琴.高密度高导电性ITO靶研制[J].稀有金属材料与工程,2006,35(7):1021-1024. |
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| 作者姓名： | 张维佳 王天民 崔敏 金飞 丁照崇 阎兰琴 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国防科工委预研科研基金 |
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| 摘 要： | 采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(IndiumTinOxide)靶相对密度达到97%~99%,并且靶电阻率小于3.0×10-4??cm,其质量损失率小于4.0%。采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上。当烧结温度为l500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率。
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| 关 键 词： | 溅射靶 烧结剂 掺杂 |
| 文章编号： | 1002-185X(2006)07-1021-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-22 |
| 修稿时间： | 2006-03-30 |
Manufacture of ITO Target with High Density and High Conductivity |
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| Zhang Weiji,Wang Tianmin,Cui Min,Jin Fei,Ding Zhaochong,Yan Lanqin.Manufacture of ITO Target with High Density and High Conductivity[J].Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(7):1021-1024. |
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| Authors: | Zhang Weiji Wang Tianmin Cui Min Jin Fei Ding Zhaochong Yan Lanqin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ITO |
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