| 垂直腔面发射激光器中的新结构研究 |
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| 引用本文： | 郝永芹,刘文莉,钟景昌,张永明,冯源,赵英杰.垂直腔面发射激光器中的新结构研究[J].兵工学报,2007,28(2):167-169. |
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| 作者姓名： | 郝永芹 刘文莉 钟景昌 张永明 冯源 赵英杰 |
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| 作者单位： | 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022 |
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| 摘 要： | 通过对垂直腔面发射激光器( VCSEL)台面结构的深入研究，提出了新型环形分布孔结构，并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性，而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1. 34倍。
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| 关 键 词： | 光学 半导体激光器 氧化物限制 量子阱 垂直腔面发射激光器 |
| 文章编号： | 1000-1093（2007）02-0167-03 |
| 修稿时间： | 01 23 2006 12:00AM |
A New Structure for Vertical-Cavity Surface Emitting Laser |
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| HAO Yong-qin,LIU Wen-li,ZHONG Jing-chang,ZHANG Yong-ming,FENG Yuan,ZHAO Ying-jie.A New Structure for Vertical-Cavity Surface Emitting Laser[J].Acta Armamentarii,2007,28(2):167-169. |
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| Authors: | HAO Yong-qin LIU Wen-li ZHONG Jing-chang ZHANG Yong-ming FENG Yuan ZHAO Ying-jie |
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| Affiliation: | National Key Lab. of High-Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022，Jilin, China |
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| Abstract: | A new mesa structure with ring-distributed perforations was presented,and vertical-cavity surface emitting laser(VCSEL) with such structure was fabricated.The testing results show that these VCSELs operate with good performance,light output power is 1.34 times as much as that with ring groove. |
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| Keywords: | optics semiconductor laser oxide-confined process quantum well vertical-cavity surface emitting laser |
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