| 高功率无铝半导体激光器 |
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| 引用本文： | 朱宝仁,张宝顺.高功率无铝半导体激光器[J].兵工学报,1999,20(2):189-192. |
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| 作者姓名： | 朱宝仁 张宝顺 |
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| 作者单位： | 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,阈值电流密度J =30 0A/cm2 ,对于条宽W =1 0 0 μm的激光器 ,连续输出功率最大达到 4W
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| 关 键 词： | 无铝 高功率 半导体激光器 SQW SCH |
HIGH POWER ALUMINIUM FREE LASERS |
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| Zhu Baoren,Zhang Baoshun,Bo Baoxue,Zhang Xingde.HIGH POWER ALUMINIUM FREE LASERS[J].Acta Armamentarii,1999,20(2):189-192. |
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| Authors: | Zhu Baoren Zhang Baoshun Bo Baoxue Zhang Xingde |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high power SCH single quantum well semiconductor laser |
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