| Ni-Cr桥膜换能元的制备 |
| |
| 引用本文： | 解瑞珍,任小明,王可暄,薛艳,彭志明,卢斌.Ni-Cr桥膜换能元的制备[J].含能材料,2011,19(5):584-587. |
| |
| 作者姓名： | 解瑞珍 任小明 王可暄 薛艳 彭志明 卢斌 |
| |
| 作者单位： | 陕西应用物理化学研究所应用物理化学重点实验室,陕西西安,710061 |
| |
| 基金项目： | 陕西省应用物理化学重点实验室基金（9140C370205090C37） |
| |
| 摘 要： | 为了制作出阻值一致性好,发火电压低的金属桥膜换能元,对Ni-Cr薄膜换能元制作过程中的薄膜溅射、刻蚀等工艺进行了探索,并对制作的换能元参数进行了测试.结果显示随着溅射功率的减小,薄膜的沉积速率减小,成膜致密性提高；在一定范围内,刻蚀液中高氯酸所占的比例越大,刻蚀用时越短.制作的Ni-Cr薄膜换能元电阻的一致性较好,在4...
|
| 关 键 词： | 物理化学 火工品 Ni-Cr薄膜 溅射 刻蚀 换能元 发火电压 |
| 收稿时间： | 2010/12/8 0:00:00 |
| 修稿时间： | 6/21/2011 7:15:50 PM |
Fabrication of Ni-Cr Film Igniting Resistor |
| |
| XIE Rui-zhen,REN Xiao-ming,WANG Ke-xuan,XUE Yan,PENG Zhi-ming and LU Bin.Fabrication of Ni-Cr Film Igniting Resistor[J].Chinese Journal of Energetic Materials,2011,19(5):584-587. |
| |
| Authors: | XIE Rui-zhen REN Xiao-ming WANG Ke-xuan XUE Yan PENG Zhi-ming and LU Bin |
| |
| Affiliation: | XIE Rui-zhen,REN Xiao-ming,WANG Ke-xuan,XUE Yan,PENG Zhi-ming,LU Bin(Science and Technology on Applied Physical Chemistry Laboratory,Shaanxi Applied Physics-Chemistry Research Institute,Xi'an 710061,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | physical chemistry initiation explosive device Ni-Cr film sputtering etching igniting resistor firing voltage |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《含能材料》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《含能材料》下载全文 |
|
