| 瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟 |
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| 引用本文： | 王军,李勇,卢兵,周彬,陈厚和,黄亦斌.瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟[J].含能材料,2019,27(10):837-844. |
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| 作者姓名： | 王军 李勇 卢兵 周彬 陈厚和 黄亦斌 |
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| 作者单位： | 南京理工大学化工学院,江苏 南京,210094;中国工程物理研究院化工材料研究所,四川 绵阳,621999;宁波振华电器有限公司,浙江 宁波,315722 |
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| 摘 要： | 为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288 mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40 nH和回路电阻为3.3 mΩ时,22μF/16 V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8～12 V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。
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| 关 键 词： | 半导体桥(SCB) 瞬态电压抑制二极管 电爆特性 |
| 收稿时间： | 2019/1/8 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2019/5/14 0:00:00 |
Simulation of the Influence of Transient Voltage Suppression Diode on the Electro-explosive Performance of Semiconductor Bridge Initiator |
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| WANG Jun,LI Yong,LU Bing,ZHOU Bin,CHEN Hou-he and HUANG Yi-bin.Simulation of the Influence of Transient Voltage Suppression Diode on the Electro-explosive Performance of Semiconductor Bridge Initiator[J].Chinese Journal of Energetic Materials,2019,27(10):837-844. |
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| Authors: | WANG Jun LI Yong LU Bing ZHOU Bin CHEN Hou-he and HUANG Yi-bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor bridge initiator(SCB) transient voltage suppression diode electro-explosive performance |
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