| 半导体桥芯片静电加固的研究 |
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| 引用本文： | 李静,张文超,秦志春,叶家海,田桂蓉,徐振相.半导体桥芯片静电加固的研究[J].火工品,2015(1):14-17. |
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| 作者姓名： | 李静 张文超 秦志春 叶家海 田桂蓉 徐振相 |
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| 作者单位： | 南京理工大学化工学院,江苏南京,210094 |
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| 摘 要： | 针对桥区形状为尖角形的半导体桥在尖角处电流密度过于集中、易发生静电损伤的问题,提出将半导体桥的尖角部分设计为圆弧的形状,达到提高半导体桥抗静电能力的目的。静电实验发现圆弧型半导体桥在10000pF电容、25kV电压并且串联5000Ω电阻的静电冲击条件下完好无损。33μF电容、19V电压放电模式下,静电冲击前后圆弧型半导体桥的发火时间基本没变,而尖角型半导体桥的发火时间发生了较长的延迟,证明圆弧型半导体桥在保证发火的前提下抗静电能力得到增强。
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| 关 键 词： | 半导体桥 静电加固 点火 |
Research of Electrostatic Reinforcement for Semiconductor Bridge Chip |
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| LI Jing,ZHANG Wen-chao,QIN Zhi-chun,YE Jia-hai,TIAN Gui-rong,XU Zhen-xiang.Research of Electrostatic Reinforcement for Semiconductor Bridge Chip[J].Initiators & Pyrotechnics,2015(1):14-17. |
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| Authors: | LI Jing ZHANG Wen-chao QIN Zhi-chun YE Jia-hai TIAN Gui-rong XU Zhen-xiang |
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| Affiliation: | LI Jing;ZHANG Wen-chao;QIN Zhi-chun;YE Jia-hai;TIAN Gui-rong;XU Zhen-xiang;School of Chemical Engineering,NUST; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semiconductor bridge Electrostatic reinforcement Ignition |
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