| 叠氮化铅半导体桥点火研究 |
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| 引用本文： | 马鹏,朱顺官,徐大伟,张琳,张垒,陈厚和.叠氮化铅半导体桥点火研究[J].火工品,2010(1). |
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| 作者姓名： | 马鹏 朱顺官 徐大伟 张琳 张垒 陈厚和 |
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| 作者单位： | 1. 南京理工大学化工学院,江苏,南京,210094
2. 海军驻锦州军事代表室,辽宁,锦州,121000 |
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| 摘 要： | 利用半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)作为发火元件点燃叠氮化铅(Lead Azide,LA),获得了其电压电流曲线,通过分析其电压电流曲线和烧蚀后的桥面,发现两种不同的点火机理:当LA的颗粒较大时(45μm),利用SCB产生的等离子体将药剂点燃;当LA的颗粒较小时(1μm),SCB不产生等离子体就可以将药剂点燃。非等离子体点火时,其发火电压约为等离子体点火时的20%,降低了SCB的点火能量。此外,压药压力对非等离子体点火的最低发火电压有一定影响,80MPa时其发火电压最低。
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| 关 键 词： | 半导体桥 等离子体点火 非等离子体点火 点火能量 |
Study on the Ignition Character of Lead Azide by Semiconductor Bridge |
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| MA Peng,ZHU Shun-guan,XU Da-wei,ZHANG Lin,ZHANG Lei,CHEN Hou-he.Study on the Ignition Character of Lead Azide by Semiconductor Bridge[J].Initiators & Pyrotechnics,2010(1). |
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| Authors: | MA Peng ZHU Shun-guan XU Da-wei ZHANG Lin ZHANG Lei CHEN Hou-he |
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