| 半导体桥爆发临界性实验研究 |
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| 引用本文： | 杨贵丽,焦清介,金兆鑫,徐新春.半导体桥爆发临界性实验研究[J].火工品,2010(1). |
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| 作者姓名： | 杨贵丽 焦清介 金兆鑫 徐新春 |
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| 作者单位： | 1. 北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室,北京,100081
2. 西安电子工程研究所,陕西,西安,710100 |
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| 摘 要： | 对电容放电和5min恒流激励时半导体桥换能元的爆发特性进行了实验研究,测试了半导体桥作用过程中电压、电流、电阻的变化规律,通过对电阻变化特点的详细分析,发现恒流激励时半导体桥存在临界爆发电流,电容放电激励时存在爆发和产生等离子体两个临界电压。然后利用D-最优化法测试了电阻约为0.8Ω、长度为80μm、宽度为380μm、厚度为2μm、V型角为90°的半导体桥的临界爆发电流、临界爆发电压和产生等离子体的临界电离电压等数据,通过加载不同的电压,得出了爆发时间与充电电压之间的规律。
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| 关 键 词： | 半导体桥 临界爆发电流 临界爆发电压 临界电离电压 |
The Experiment Research on the Critical Characteristics of Semiconductor Bridge |
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| YANG Gui-li,JIAO Qing-jie,JIN Zhao-xin,XU Xin-chun.The Experiment Research on the Critical Characteristics of Semiconductor Bridge[J].Initiators & Pyrotechnics,2010(1). |
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| Authors: | YANG Gui-li JIAO Qing-jie JIN Zhao-xin XU Xin-chun |
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