| 以SiF4+H2为气源PECVD法低温制备多晶硅薄膜 |
| |
| 引用本文： | 邱春文,石旺舟,黄翀.以SiF4+H2为气源PECVD法低温制备多晶硅薄膜[J].太阳能学报,2004,25(3):333-336. |
| |
| 作者姓名： | 邱春文 石旺舟 黄翀 |
| |
| 作者单位： | 汕头大学物理系,汕头,515063 |
| |
| 摘 要： | 采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径＞100nm)、高迁移率(～20cm2/vs),择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为SiH4和H2混合气体.加入少量的SiH4后,沉积速率提高了将近10倍.通过本实验,我们认为在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团.
|
| 关 键 词： | 多晶硅薄膜 瞰 Ⅷ法 低温制备 |
| 文章编号： | 0254-0096(2004)03-0333-04 |
PREPARATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
| |
| Qiu Chunwen,Shi Wangzhou,Huang Chong.PREPARATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2004,25(3):333-336. |
| |
| Authors: | Qiu Chunwen Shi Wangzhou Huang Chong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | polycrystalline silicon thin films plasma enhanced chemical vapor deposition low-temperature growth |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
