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低能量质子辐照对背场硅太阳电池电性能影响的研究
引用本文:胡震宇,何世禹,杨德庄.低能量质子辐照对背场硅太阳电池电性能影响的研究[J].太阳能学报,2004,25(1):99-103.
作者姓名:胡震宇  何世禹  杨德庄
作者单位:哈尔滨工业大学空间材料与环境工程实验室,哈尔滨,150001
基金项目:国家973科研项目(G19990650)
摘    要:研究了在模拟空间质子辐照环境条件下,质子能量分别为60 keV、150 keV,辐照剂量为1×1013~2×1016cm-2时,背场硅太阳电池的电性能的变化。试验表明,电池的开路电压Voc、短路电流Isc、最大输出功率Pmax随着质子能量和辐照剂量的增加出现了大幅衰降。随着能量的增大Voc和Pmax衰降幅度明显大于Isc,而随辐照剂量的增加短路电流Isc衰降幅度要比Voc和Pmax大得多,并且随着质子能量的增大短路电流,Isc与辐照剂量呈明显的线性关系。当质子能量为60keV,辐照剂量为1.2×1013cm-2时,Pmax/P。衰降到75%。通过深能级瞬态能谱X射线激发光电子能谱和红外光谱,初步分析了能量小于200 keV质子辐照导致电池电性能衰降的原因。

关 键 词:硅太阳电池  模拟空间环境  质子辐照
文章编号:0254-0096(2004)01-0099-05

LOW-ENERGY PROTON IRRADIATION EFFECTS ON THE ELEXTRICAL PROPERTIES OF BACK-FIELD Si SOLAR CELL
Hu Zhenyu,He Shiyu,Yang Dezhuang.LOW-ENERGY PROTON IRRADIATION EFFECTS ON THE ELEXTRICAL PROPERTIES OF BACK-FIELD Si SOLAR CELL[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2004,25(1):99-103.
Authors:Hu Zhenyu  He Shiyu  Yang Dezhuang
Abstract:
Keywords:Si solar cell  space environmental simulation  proton irradiation
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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