| 硅片在HF/HNO3/H2O体系中的腐蚀速度 |
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| 引用本文： | 安静,孙铁囤,刘志刚,汪建强,苦史伟.硅片在HF/HNO3/H2O体系中的腐蚀速度[J].太阳能学报,2008,29(3):319-323. |
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| 作者姓名： | 安静 孙铁囤 刘志刚 汪建强 苦史伟 |
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| 作者单位： | 上海交通大学物理系太阳能研究所,上海,200240 |
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| 基金项目： | 上海市科委项目(03DZl2028) |
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| 摘 要： | 研究了硅片在富硝酸的HF/HNCO3/H2O体系中的腐蚀规律.随着腐蚀反应的进行,反应分5个阶段,在开始的5min内硅片腐蚀量较大,然后反应速度经历了下降、上升、下降再迅速下降的过程,最终达到稳定阶段.另外,随着反应时间的延长,反应温度先上升到达最大值,然后逐渐下降,溶液中氟离子浓度不断减小,反应速度随时间的变化规律是腐蚀生成热、体系与外界热交换以及溶液中氟离子浓度共同作用的结果.
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| 关 键 词： | 硅腐蚀 反应速度 温度 硅片 体系 腐蚀速度 ETCHING RATE SILICON VARIATION 结果 共同作用 热交换 生成热 变化规律 反应时间 氟离子浓度 溶液 最大值 反应温度 延长 稳定 过程 反应速度 |
| 文章编号： | 0254-0096(2008)03-0319-05 |
| 修稿时间： | 2006年9月5日 |
THE VARIATION OF SILICON ETCHING RATE IN THE HF/HNO3/H2O SYSTEM |
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| An Jing,Sun Tietun,Liu Zhigang,Wang Jianqiang,Ku Shiwei.THE VARIATION OF SILICON ETCHING RATE IN THE HF/HNO3/H2O SYSTEM[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2008,29(3):319-323. |
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| Authors: | An Jing Sun Tietun Liu Zhigang Wang Jianqiang Ku Shiwei |
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