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辐射致冷用氮化硅薄膜的微观结构和光学性质
引用本文:梁宗存,沈辉,李戬洪.辐射致冷用氮化硅薄膜的微观结构和光学性质[J].太阳能学报,2001,22(3):302-305.
作者姓名:梁宗存  沈辉  李戬洪
作者单位:中国科学院广州能源研究所,广州,510070
摘    要:采用射频等离子体化学气相沉积(PECVD)法制备了SiNx薄膜,用X-射线荧光光谱,红外吸收光谱,红外反射光谱以及扫描电镜对薄膜的成分,结构,表面形貌和光学性质进行了步研究,X-射线荧光分析表明SiNx薄膜的组成为SiN0.35,从红外透过光谱可见,氮参加了反应并生成Si-N键,薄膜中有少量的Si-H键和N-H键,红外反射光谱表明SiN0.35薄膜是非常好的窗口材料,在8-13um波段内具有很低的反射率,8-13um波段外反射率高,适合制备辐射制冷体,SEM观察结果对薄膜的表面形态和生长机量给予了初步解释。

关 键 词:氮化硅薄膜  辐射致冷  微观结构  光学性质
文章编号:0254-0096(2001)03-0302-04
修稿时间:2000年4月3日

MICROSTRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF SILICON NITRIDE THIN FILMS AS RADIATIVE COOLING MATERIALS
Liang Zongcun,Shen Hui,Li Jianhong.MICROSTRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF SILICON NITRIDE THIN FILMS AS RADIATIVE COOLING MATERIALS[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2001,22(3):302-305.
Authors:Liang Zongcun  Shen Hui  Li Jianhong
Abstract:
Keywords:silicon nitride films  structure  reflectance  radiative cooling
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