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| 多重激子效应及其在先进太阳电池中的应用(下) | |
| 引用本文： | 苏未安,沈文忠.多重激子效应及其在先进太阳电池中的应用(下)[J].太阳能,2012(24). |
| 作者姓名： | 苏未安 沈文忠 |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室 2. 上海交通大学太阳能研究所 |
| 摘 要： | 除多重激子产生的效率外,多重激子产生的阈值能量也是多重激子效应的一个重要参数.阈值能量ET 18,24,26,27,35,38]是指在纳米半导体中产生多重激子效应所需入射光子的最小能量hv’.从模型的建立可知,当产生多重激子效应时,IQE一定大于100％;并且多重激子产生效率依赖于参数ts、R和hv,IQE=IQE(ts,Eg,hv).ts和Eg确定后,IQE仅取决于hv,则IE=IE(hv).为便于计算,需给出纳米半导体中多重激子产生的判据IQE,cr(d,ET=hv’),即当IQE(d,hv)＞IQE,cr(d,ET=hv’)时,产生多重激子效应;而IE(d,hv)＜IQE,cr(d,ET=hv’)时,不产生多重激子效应. |
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