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组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用
引用本文:陈昌明,潘浩昌,黄建鸣,朱德彰,曹建清,叶伯年,胡钧,李民乾.组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用[J].核技术,1999,22(2).
作者姓名:陈昌明  潘浩昌  黄建鸣  朱德彰  曹建清  叶伯年  胡钧  李民乾
作者单位:中国科学院上海原子核研究所,核分析技术开放实验室,上海,201800
基金项目:中国科学院资助项目,中国博士后科学基金,上海市博士后基金,中国科学院实验室基金 
摘    要:将组合技术和离子束技术结合起来,用于硅基发光材料的研究用组合离子束技术在硅基材料上制备了64个直径为2mm的单元--材料芯片,并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐背散射质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析

关 键 词:组合技术  离子束技术  材料芯片

Combinatorialion beam technique and its application to the study of silicon-based material chips
CHEN Changming,PAN Haochang,HUANG Jianming,ZHU Dezhang,CAO Jiangqing,YE Bonian,HU Jun,LI Minqian.Combinatorialion beam technique and its application to the study of silicon-based material chips[J].Nuclear Techniques,1999,22(2).
Authors:CHEN Changming  PAN Haochang  HUANG Jianming  ZHU Dezhang  CAO Jiangqing  YE Bonian  HU Jun  LI Minqian
Abstract:
Keywords:
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