| 1.5 MeV He~+离子注入SI-GaAs制备太赫兹光电导天线 |
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| 引用本文： | 杨康,陈西良,马明旺,杨树敏,曹建清,王永祺,朱智勇.1.5 MeV He~+离子注入SI-GaAs制备太赫兹光电导天线[J].核技术,2010,33(7). |
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| 作者姓名： | 杨康 陈西良 马明旺 杨树敏 曹建清 王永祺 朱智勇 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100049
2. 中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目 |
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| 摘 要： | 用1.5MeV He+离子注入半绝缘砷化镓晶体(SI-GaAs),以其为基体制成光电导天线。太赫兹时域光谱测量显示,以离子注入晶体为基体的光电导天线,其时域信号强度是未注入晶体的3倍,略强于以LT-GaAs晶体为基体的光电导天线,但拥有比LT-GaAs晶体为基体的光电导天线略宽的频谱宽度和相当的信噪比。实验结果表明,用1.5MeV He+室温注入SI-GaAs制备太赫兹光电导天线的最佳注量约为1×1016ions·cm-2。
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| 关 键 词： | 离子辐照 太赫兹光谱 光电导天线 |
Terahertz photoconductive antenna made of 1.5 MeV He+-implanted GaAs substrates |
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| YANG Kang,CHEN Xiliang,MA Mingwang,YANG Shumin,CAO Jianqing,WANG Yongqi,ZHU Zhiyong.Terahertz photoconductive antenna made of 1.5 MeV He+-implanted GaAs substrates[J].Nuclear Techniques,2010,33(7). |
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| Authors: | YANG Kang CHEN Xiliang MA Mingwang YANG Shumin CAO Jianqing WANG Yongqi ZHU Zhiyong |
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