| 不同工艺生成的Si—SiO2经电离辐照的电子自旋共振研究 |
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| 引用本文： | 刘昶时,赵元富.不同工艺生成的Si—SiO2经电离辐照的电子自旋共振研究[J].核技术,1994,17(3):145-149. |
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| 作者姓名： | 刘昶时 赵元富 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所，航天工业部骊山微电子学研究所 |
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| 摘 要： | 采用电子自旋共振（ＥＳＲ）分析技术，较系统地研究了Ｓｉ－ＳｉＯ２体系中点缺陷Ｐｂ和Ｅ＇随氧化工艺、＾６０Ｃｏγ射线辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。实验结果表明：两类Ｓｉ／ＳｉＯ２样品在γ辐照前后均能观察到Ｐｂ缺陷，且γ辐照在Ｓｉ－ＳｉＯ２中产生更多的Ｐｂ缺陷；第一类样品在正电场下辐照将产生Ｅ＇缺陷，在自由场下辐照剂量达５×１０＾４Ｇｙ（Ｓｉ）时才能观察到Ｅ＇缺陷；在辐照后的第二类样品中无Ｅ＇信号
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| 关 键 词： | 硅 电离辐射 缺陷 电子自旋共振 |
Electron spin resonance investigation of irradiated Si-SiO_2 |
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| Liu Changshi.Electron spin resonance investigation of irradiated Si-SiO_2[J].Nuclear Techniques,1994,17(3):145-149. |
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| Authors: | Liu Changshi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Pb defect E'defect Si-SiO_2 ESR |
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