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3MeV硅离子辐照聚苯乙烯引起的化学改性
引用本文:唐玉华,朱智勇,孙友梅,李长林,金运范.3MeV硅离子辐照聚苯乙烯引起的化学改性[J].核技术,2002,25(1):15-19.
作者姓名:唐玉华  朱智勇  孙友梅  李长林  金运范
作者单位:中国科学院近代物理研究所,兰州,730000
基金项目:中国科学院“九五”重点项目基金 (KJ95 2 -S1- 42 3),西部之光基金,甘肃省中青年科学基金资助
摘    要:在室温下用 3MeV硅离子对聚苯乙烯薄膜进行了辐照注入 ,并对辐照后的样品进行了傅立叶转换红外反射光谱和紫外 /可见透射光谱的测量。测量结果显示 ,材料经 3× 10 13 ions/cm2 以上剂量辐照后 (即吸收剂量在约 4 5MGy以上时 )迅速降解 ,包括苯环在内的大部分特征官能团遭到破坏 ;与此同时 ,材料的光能隙随着剂量的增大逐渐减小 ,在辐照剂量达到 1× 10 14 ions/cm2 和 3× 10 14 ions/cm2 时 ,材料的光能隙分别由原来的 2 .7eV减小到 1.85eV和 1.2eV。

关 键 词:聚苯乙烯  硅离子辐照  光吸收  化学改性  聚合物
修稿时间:2000年1月14日

Chemical modifications of polystyrene irradiated with 3MeV silicon ions
TANG Yuhua,ZHU Zhiyong,SUN Youmei,LI Changlin,JIN Yunfan.Chemical modifications of polystyrene irradiated with 3MeV silicon ions[J].Nuclear Techniques,2002,25(1):15-19.
Authors:TANG Yuhua  ZHU Zhiyong  SUN Youmei  LI Changlin  JIN Yunfan
Abstract:
Keywords:Polystyrene  Si implantation  Optical absorption  Chemical modification  
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