| 离子注入、分析联用靶室 |
| |
| 引用本文： | 杨锋,刘家瑞.离子注入、分析联用靶室[J].核技术,1987(12). |
| |
| 作者姓名： | 杨锋 刘家瑞 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所
(杨锋)，中国科学院物理研究所(刘家瑞) |
| |
| 摘 要： | 近年来,离子注入和离子束分析技术,应用相当广泛,已扩展到许多新的领域,形成了一种多学科性的边缘学科。 离子注入已作为一种成熟的技术广泛地应用在半导体工业上,在半导体制造工艺方面,它比传统的热扩散法显示出多方面的优越性。同时在材料改性方面也引起人们的极大兴趣,许多金属部件在实际使用时起作用的是金属表面的性质,而离子注入正好是能够改变金属表面性质(如硬度、磨损、腐蚀等)的有效途径。此外,离子注入技术用来改变光学表面指定区域的反射率、折射率,这在“集成光学”中是一项有效技术,也有人利用离子注入技术研制记忆元件(如磁泡)以及提高超导材料的超导性能等。
|
| 关 键 词： | 离子注入 离子束分析 靶室 |
A target chamber for ion implantation and ion beam analysis |
| |
| Yang Feng Liu Jiarui.A target chamber for ion implantation and ion beam analysis[J].Nuclear Techniques,1987(12). |
| |
| Authors: | Yang Feng Liu Jiarui |
| |
| Abstract: | A stainless-steel target chamber for ion implantation and ion beam analysis in-situ, like RBS, channelling and charged particle reactions, is described. A 3-axis precise goniometer with 2-dimension parallel movements and two Au-Si surface barrier detectors with different solid angles have been istalled in the chamber. The target chamber has a good base pressure, no evidence of oil contamination, quick sample replacement and high efficiency for various ion beam analysis. Those have been demonstrated by the experiencesof four years using. |
| |
| Keywords: | ion implantation ion beam analysis target chamber |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
