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| 退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响 | |
| 引用本文： | 程峰,钟玉荣,王宝义,王天民,魏龙.退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响[J].核技术,2008,31(1):15-18. |
| 作者姓名： | 程峰 钟玉荣 王宝义 王天民 魏龙 |
| 作者单位： | 1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;中国科学院高能物理研究所,北京,100049 2. 中国科学院高能物理研究所,北京,100049 3. 北京航空航天大学理学院,北京,100083 |
| 摘 要： | 采用热蒸发法在玻璃衬底上沉积CsI薄膜,然后进行不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对CsI薄膜样品进行分析,测得241Am的脉冲高度谱,通过单光子法测量样品的光产额.结果表明,该CsI薄膜沿(200)晶面择优取向生长.退火温度对CsI薄膜的晶体结构和闪烁性能有很大的影响.CsI薄膜经过250℃退火后,(200)晶面衍射峰明显增强,结晶状态最佳,光产额最高,而退火温度达400℃时,薄膜结构发生显著变化,闪烁性能急剧下降. |
| 关 键 词： | CsI薄膜 热蒸发 闪烁性能 |
| 收稿时间： | 2007-05-16 |
| 修稿时间： | 2007-07-05 |
Effects of annealing temperature on scintillation properties of thermally evaporated CsI films |
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| CHENG Feng,ZHONG Yurong,WANG Baoyi,WANG Tianmin,WEI Long.Effects of annealing temperature on scintillation properties of thermally evaporated CsI films[J].Nuclear Techniques,2008,31(1):15-18. | |
| Authors: | CHENG Feng ZHONG Yurong WANG Baoyi WANG Tianmin WEI Long |
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