| N^＋、O^＋共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟 |
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| 作者单位： | 林青（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;刘相华（中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室,上海,200050）;朱鸣（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;谢欣云（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;林成鲁（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究项目(No.G20000365)和国家自然科学基金(No.90101012)资助 |
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| 摘 要： | 将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构.本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合.
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| 关 键 词： | 氮离子 氧离子 离子注入 硅片 SOI绝缘埋层 计算机模拟 |
| 修稿时间： | 2002年1月21日 |
Computer simulation for the formation of insulator layer of SOI by
co-implantation of N+ and O+ |
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