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基于VME主设备的高速读出电路设计
引用本文:杨一帆,江晓山,代洪亮,赵京伟.基于VME主设备的高速读出电路设计[J].核电子学与探测技术,2008,28(2):339-341.
作者姓名:杨一帆  江晓山  代洪亮  赵京伟
作者单位:中国科学院高能物理研究所,北京,100049
摘    要:本文简要介绍了BESⅢ主漂电子学和数据获取系统之间的数据传输相关情况.详细介绍了一种基于VME主设备的接口电路设计,此电路用于VME总线上的数据读出与传输,具体包括PCB设计与FPGA程序实现,最后给出了测试方法和相关结果.

关 键 词:BESⅢ  数据读出  VME  FPGA

Design of High Speed Read Out Circuit Based on VME Master Device
YANG Yi-fan,JIANG Xiao-shan,DAI Hong-liang,ZHAO Jing-wei.Design of High Speed Read Out Circuit Based on VME Master Device[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2008,28(2):339-341.
Authors:YANG Yi-fan  JIANG Xiao-shan  DAI Hong-liang  ZHAO Jing-wei
Abstract:
Keywords:
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