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含锗超低密度泡沫靶材料制备研究
引用本文:沈军,王珏,吴广明,倪星元,周斌,陈玲燕.含锗超低密度泡沫靶材料制备研究[J].原子能科学技术,2002,36(4):321-323.
作者姓名:沈军  王珏  吴广明  倪星元  周斌  陈玲燕
作者单位:同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092
基金项目:国家自然科学基金重点项目(20133040)及面上项目(59802007,69978017);上海市科技启明星计划资助项目(99QE14041);教育部高等学校骨干教师基金资助项目;国家"863"激光技术青年科学基金资助项目(2000-12);红外物理国家重点实验室开放基金资助项目
摘    要:采用广义两步法,在典型SiO2低密度泡沫材料中均匀掺入高浓度Ge元素,获得了低密度泡沫材料中掺入某些金属元素的新工艺,克服了传统溶胶-凝胶工艺制备多元氧化物混合材料所遇到的因水解速率相差悬殊而造成的困难。

关 键 词:泡沫靶  材料  制备  超低密度材料  掺杂  两步法  二氧化硅  惯性约束聚变
文章编号:1000-6931(2002)04/05-0321-03
修稿时间:2001年8月25日

Preparation of Ultralow Density Porous SiO2 Doped With GeO2
Abstract:
Keywords:
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