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| HWRR-Ⅲ辐照功率硅半导体器件 | |
| 引用本文： | 陈国舜.HWRR-Ⅲ辐照功率硅半导体器件[J].核科学与工程,1986(4). |
| 作者姓名： | 陈国舜 |
| 作者单位： | 中国原子能科学研究院 |
| 摘 要： | 一、硅器件辐照简介加速器产生的电子束、钴—60辐射装置的γ射线和核反应堆的中子或γ射线,都可以用来辐照硅器件,改善电子特性。国外在70年代就已做了。国内80年代起开始研究,已取得一定的成绩。辐照的主要效应是射线使硅晶体产生缺陷也叫空位。这种空位能很快复合硅半导体中的少数载流子(以下简称少子),减少了少子在半导体中的扩散长度 |
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