| 氚靶片核素组成对氘氚中子源强的影响 |
| |
| 引用本文： | 张思纬,王永峰,王伟,季翔,王志刚,刘超,吴宜灿,FDS凤麟团队.氚靶片核素组成对氘氚中子源强的影响[J].核科学与工程,2019,39(3). |
| |
| 作者姓名： | 张思纬 王永峰 王伟 季翔 王志刚 刘超 吴宜灿 FDS凤麟团队 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院核能安全技术研究所中子输运理论与辐射安全重点实验室,安徽合肥 230031;中国科学技术大学,安徽合肥 230026;中国科学院核能安全技术研究所中子输运理论与辐射安全重点实验室,安徽合肥,230031 |
| |
| 基金项目： | 中国科学院战略性先导科技专项;国家自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 氘氚中子源通过氘离子束轰击氚靶片引发氘氚聚变反应,产生14.1 MeV高能中子。高能中子调控后亦可产生宽能谱中子场,是先进核能及核技术交叉应用研究的重要实验平台。作为中子源的核心部件,氚靶片由靶片基底和储氚薄膜组成,其中储氚薄膜的核素组成会影响氚原子密度与入射氘离子射程,最终直接关系到中子源强的高低。本文基于MATLAB和SRIM软件建立氘氚中子源强计算模型,对比计算了不同新型储氢金属材料组成的储氚薄膜(TiT_2、MgT_2、Mg_2NiT_4、VT_2、LiBT_4和LaNi_5T_6)和不同氘离子能量对中子源强的影响。计算结果表明,在同等束流条件下,MgT_2的中子源强相比TiT_2可提高30%以上,且制备工艺较为成熟,是氘氚中子源的优秀储氚薄膜材料。
|
| 关 键 词： | 氘氚中子源 氚靶片 中子源强 新型储氢金属材料 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
