| 电子辐照减小硅外延平面大电流开关二极管的反向恢复时间 |
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| 引用本文： | 田汝超,王远志,郭义,宁岩,陆明惠,吴树芳.电子辐照减小硅外延平面大电流开关二极管的反向恢复时间[J].辐射研究与辐射工艺学报,1988(3). |
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| 作者姓名： | 田汝超 王远志 郭义 宁岩 陆明惠 吴树芳 |
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| 作者单位： | 黑龙江省科学院技术物理所 哈尔滨
(田汝超，王远志，郭义，宁岩)，哈尔滨晶体管厂 哈尔滨
(陆明惠)，哈尔滨晶体管厂 哈尔滨(吴树芳) |
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| 摘 要： | 研究了用电子辐照减小硅外延平面大电流开关二极管反向恢复时间的工艺。将未封帽的硅外延平面大电流开关二极管2CK 29的阳极面用能量1.2MeV、注量为3～5×10~(14)e/cm~2的电子束照射,可以使2 CK 29的反向恢复时间减至原来的1/4～1/8,而正向压降维持在正常范围之内。辐照器件具有良好的性能。
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| 关 键 词： | 电子辐照 硅外延开关二极管 反向恢复时间 正向压降 |
DECREASING REVERSE RECOVERY TIME OF A SILICON EPITAXIAL HIGH CURRENT SWIT CHING DIODE BY EIECTRON IRRADIATION |
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| Tian Ruchao,Wang Yuanzhi,Guo Yi,Ning Yan,Lu Minghui,Wu Shufang Technical Physics Institute of Heilongiang Province Academy. Harbin Harbin Transistor Factory.DECREASING REVERSE RECOVERY TIME OF A SILICON EPITAXIAL HIGH CURRENT SWIT CHING DIODE BY EIECTRON IRRADIATION[J].Journal of Radiation Research and Radiation Processing,1988(3). |
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| Authors: | Tian Ruchao Wang Yuanzhi Guo Yi Ning Yan Lu Minghui Wu Shufang Technical Physics Institute of Heilongiang Province Academy Harbin Harbin Transistor Factory |
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| Affiliation: | Tian Ruchao;Wang Yuanzhi;Guo Yi;Ning Yan;Lu Minghui;Wu Shufang Technical Physics Institute of Heilongiang Province Academy. Harbin Harbin Transistor Factory |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Electron irradiation Sillicon epitaxial switching diode Reverse Recovery time Forward voltage drop |
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