| 低剂量辐射诱导儿童淋巴细胞DNA合成的适应性反应 |
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| 引用本文： | 张建华,苏燎原,盛锦云,江家贵,刘芬菊,杜泽吉,田海林.低剂量辐射诱导儿童淋巴细胞DNA合成的适应性反应[J].中国核科技报告,1999(Z4). |
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| 作者姓名： | 张建华 苏燎原 盛锦云 江家贵 刘芬菊 杜泽吉 田海林 |
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| 作者单位： | 苏州医学院，苏州医学院，苏州医学院，苏州医学院，苏州医学院，苏州医学院，苏州医学院 苏州 215007，苏州 215007，苏州 215007，苏州 215007，苏州 215007，苏州 215007，苏州 215007 |
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| 摘 要： | 观察低剂量辐射诱导儿童淋巴细胞大剂量辐射后DNA合成适应性反应。儿童淋巴细胞经过0.5,1.0,1.5,2.0,3.0,4.0cGy低剂量辐射后均可诱导适应性反应,以1.5 cGy最为明显,DRP为53.4％。经1.5 cGy辐射后6,24,48,72 h均存在适应性反应,以24h适应性反应表达最为明显,DRP为53.4％。1.5cGy辐射后1,3,5,7 Gy辐射亦存在适应性反应,以3 Gy表达最为明显。儿童淋巴细胞在0.5～4.0 cGy辐射后均能诱导大剂量辐射后DNA合成的适应性反应,以1.5cGy辐射后24h 3cGy辐射的适应性反应最为明显。
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