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| 氘束轰击石墨化学腐蚀的实验进展 | |
| 作者单位： | 核工业西南物理研究院 成都 (朱毓坤，王明旭，王志文)，核工业西南物理研究院 成都(邓冬生) |
| 摘 要： | 在SMF-800石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上,进一步测试了G3石墨,SMF-800高纯石墨和硼化石墨,以及SiC镀层等在1.3μA/3keV氘束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出C_2B_(10)H_(12)-氦辉光放电法制取的SMF-800石墨硼化层,它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其CD_4产额较SMF-800高纯石墨的降低一个量级以上,CD_4产额峰值温度下移至650K附近。用小角度转动样品法,初步观察了氘束轰击下石墨释放CD_4的角分布特性,对托卡马克先进偏滤器实验中建立CD_4辐射区的定位及其控制等可行性进行了探索。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |