硅对镉胁迫下烟草叶片PSⅡ叶绿素荧光特性的影响

为明确硅对镉胁迫下烟草叶片光系统Ⅱ(PSⅡ)叶绿素荧光特性的影响,以云烟87为材料,通过室内水培试验分析烟草PSⅡ快速叶绿素荧光诱导动力学特性。结果表明,镉胁迫可导致快速叶绿素荧光诱导动力学曲线(OJIP)发生变化,最小荧光值(Fo)和最大荧光值(Fm)显著降低。镉胁迫下最大光化学效率(Fv/Fm)、放氧复合体(OEC)、受体库容量(Sm)、电子传递量子产额(φEo)、单位面积反应中心数量(RC/CSo)和性能指数(PIabs)降低,K相相对可变荧光(Vk)、J相相对可变荧光(VJ)和QA还原速率(Mo)显著增加,说明镉胁迫导致烟草叶片光合机构完整性被破坏,单位PSⅡ反应中心数量发生变化,PSⅡ供、受体侧受到毒害,抑制光合电子传递。加硅处理的荧光动力学曲线基本与对照重合,OEC、Sm、φEo、RC/CSo、PIabs显著增加,Vk、VJ、Mo显著降低。因此,加硅处理能够稳定PSⅡ的结构和功能,缓解镉胁迫对烟草叶片光合机构的伤害,有利于光合电子的传递。